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重磅发布!2020年度中国半导体十大研究进展评选结果出炉

时间:2021-02-09 11:49:24来源:前瞻网

近来,全球性的芯片短缺已经对手机、汽车、游戏等行业的生产造成了实质性的影响。半导体作为芯片的元件,其重要之处不言而喻。集成电路更是被列入“十四五”规划的重点发展领域。就在上周,华为、小米、中芯国际等87家中国企业合作发展本土半导体产业,申请成立全国集成电路标准化技术委员会,致力于发展中国的半导体产业。

昨日,我国期刊《半导体学报》主办的首届“中国半导体年度十大研究进展”评选结果正式公布。该评选于2020年1月启动,旨在记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。

通过由43名半导体领域专家组成的评选委员会的两轮严格评选,按照投票排名最终选出10项优秀成果,荣膺“2020年度中国半导体十大研究进展”。

该十项成果按照排名先后分别为:

1、清华大学钱鹤、吴华强研究团队实现的全球首款多阵列忆阻器存算一体系统;

2、由香港科技大学范智勇教授团队实现的基于半球状半导体纳米线阵列仿生视网膜的电化学仿生眼;

3、由北京大学张志勇-彭练矛团队发展的用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列;

4、由南京大学朱嘉、周林团队联合北京大学马仁敏等合作者实现的通讯波段的高性能钠基等离激元纳米激光器;

5、由北京大学-松山湖材料实验室-南方科技大学刘开辉、王恩哥、俞大鹏合作团队在国际上首次实现的种类最全(30余种)、尺寸最大(A4纸尺寸)的高指数晶面单晶铜箔库制造;

6、由湖南大学段曦东教授与加州大学洛杉矶分校段镶锋教授合作实现的大面积范德瓦尔斯异质结阵列的通用合成;

7、由北京大学彭超副教授团队与合作者实现的拓扑保护的单向导模共振态观测;

8、由金属研究所、山西大学、湖南大学等多家研究机构合作,成功将鳍式场效应晶体管垂直沟道宽度缩小至物理极限;

9、由南京大学谭海仁课题组实现的大面积高质量钙钛矿薄膜的制备,创造了大面积全钙钛矿叠层电池世界纪录认证效率24.2%;

10、由中国科学院半导体所祁楠团队,联合国家信息光电子创新中心实现的具有数字辅助分布驱动器和集成CDR的50Gb/s PAM4硅光子发射机。

除了十大突出研究进展之外,本次评选还选出了10项“提名奖”以及18项“入围奖”。更多详情以及研究论文可见《半导体学报》的官方公众号。

关于《半导体学报》

Journal of Semiconductors(JOS),S是由中国科学院半导体研究所和中国电子学会共同主办、与英国物理学会(IOP)合作出版的学术期刊,全面报道半导体领域及相关领域的最新研究动态。李树深院士担任主编。

《半导体学报》2019年入选“中国期刊卓越行动计划”,2020年11月被EI数据库收录。

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