三星宣布量产16Gb LPDDR5芯片：首次采用EUV工艺内存带宽高达6400Mbps

时间：2020-08-31 18:49:16来源：芯智讯

8月30日，三星电子宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光(EUV)技术的 16Gb LPDDR5 移动 DRAM。新的 16Gb LPDDR5 基于三星第三代 10nm 级 (1z)工艺打造，拥有最高的移动内存性能和最大的容量。

据介绍，新的 LPDDR5内存带宽速度为每秒 6400Mbps，比目前大多数旗舰移动设备中的 12Gb LPDDR5(5500Mb/s)快约 16%。当做成 16GB 封装时，LPDDR5 可以在一秒钟内传输约 10 部 5GB 大小的全高清电影，或 51.2GB 的数据。

由于采用了首款商用 1z 工艺，LPDDR5 封装比上一代产品薄了 30%，使得 5G 和多摄像头智能手机以及可折叠设备能够将更多的功能装进纤薄的设计中。16Gb LPDDR5 只需 8 颗芯片就能构建 16GB 封装，而基于 1y 的前代产品则需要 12 颗芯片(8 颗 12Gb 芯片和 4 颗 8Gb 芯片)才能提供同样的容量。

通过向全球智能手机制造商交付首款基于 1z 的 16GB LPDDR5 封装，三星计划在整个 2021 年进一步加强其在旗舰移动设备市场的地位。未来，三星还将把 LPDDR5 产品的使用范围扩展到汽车应用中。

“基于 1z 的 16Gb LPDDR5 将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下 DRAM 扩展的主要发展障碍，”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jung-bae Lee 表示，“我们将继续扩大我们的优质 DRAM 产品阵容，并超越客户的需求，我们将引领整个内存市场的发展。”

资料显示，三星平泽Line-2占地超过 128,900 平方米(超过 130 万平方英尺)，相当于约 16 个足球场，是迄今为止规模最大的半导体生产线。三星称，新的平泽生产线将成为业界最先进的半导体技术的主要制造中心，提供最先进的 DRAM，然后是下一代 V-NAND 和代工解决方案，同时加强公司在工业 4.0 时代的领导地位。